Secondary abstract: |
V disertaciji so predstavljeni rezultati eksperimentalnih raziskav o vplivu energije
fotonov na fotovzbujeni transport naboja v organskih polprevodnikih. Organski
polprevodniki, ki smo jih preučevali so bili v obliki majhnih molekul (koranulen,
perilen in pentacenski derivati), polimerov (derivati politiofena in benzotiofena),
grafena, ter kombinacije teh materialov v heterostrukturah in kompozitih.
Prvi del je osredotočen na študij vpliva energije fotonov na optično absorpcijo in
časovno-odvisni tok fotovzbujenih nosilcev naboja v tankih plasteh koranulena.
Struktura molekule koranulena je ukrivljena in zaradi π-konjugacije izkazuje
prevodnost fotovzbujenih nosilcev naboja. V energijskem območju, kjer koranulen
nima optične absorpcije, smo opazili povečano prevodnost fotovzbujenih nosilcev
naboja. Ta pojav smo razložili s pomočjo teoretičnih izračunov optičnih ekcitacij v
molekuli koranulena, ki se nahaja v plinasti fazi. Analiza meritev je pokazala, da k
povečani prevodnosti prispevajo fotovzbujeni nosilci naboja, ki so zaradi ustrezne
energije fotonov vzbujeni v t.i. super atomske molekulske orbitale (SAMO). Te
orbitale so značilne za ukrivljene π-konjugirane molekule. V molekulah, ki niso
ukrivljene, teoretični izračuni ne napovedujejo SAMO orbital. Posledično, kot smo
tudi pokazali s študijo prevodnosti fotovzbujenih tokov v derivatu molekule perilena,
energijska odvisnost prevodnosti fotovzbujenih nosilcev naboja dosledno sledi optični
absorpciji.
V nadaljevanju so prikazani rezultati študije transporta naboja v plasteh poli(3-
heksiltiofena) (P3HT), ki so bili nanešeni iz raztopine na steklene podloge. Rezultati
nakazujejo, da je gibljivost fotovzbujenih nosilcev, ki je izmerjena preko metode časa
preleta (TOF), odvisna od energije absorbiranih fotonov. TOF gibljivost znaša 0,4 ×
10 -3 cm 2 /Vs pri energiji fotonov 2,3 eV (530 nm) in se podvoji pri 4,8 eV (260 nm).
TOF gibljivost smo primerjali z gibljivostjo nosilcev naboja izmerjeno v P3HT
tranzistorjih na poljski pojav (FET). FET gibljivost je podobna TOF gibljivosti pri
energiji fotonov 2,3 eV. Pokazali smo, da se gibljivost poveča z dodatkom grafenskih
nanodelcev. Nanodelce grafena smo dodali v raztopino P3HT v različnih masnih
razmerjih pred nanosom na stekleno podlogo. Pokazali smo, da se gibljivost bistveno
poveča že pri masnem razmerju grafena 0,2%. Z višanjem koncentracije se gibljivost
veča. Pri najvišji koncentraciji 3,2%, ki smo jo pripravili, doseže FET gibljivost
vrednost 2,3 × 10 -2 cm 2 /Vs. Ugotovili smo, da pri koncentracijah nad 0,8% pride do
ivzbiranja grafena v skupke, kar prepreči, da bi grafen tvoril prevodni most med
elektrodama in s tem izničil polprevodne lastnosti polimerskega kompozita.
Alternativni pristop za povečanje gibljivosti nosilcev naboja v organskih
polprevodnikih je povezan z urejanjem molekul v molekulskih kristalih. S tem
namenom smo uporabili inovativno večplastno nanostrukturo elektrod, ki temelji na
nanomrežici. Prostostoječo nanomrežico smo uporabili za tvorbo nano-stikov med
nanožicami N, N'-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksimida (PTCDI-C8) in kristali
bis(triizopropilsililetinil)pentacena (TIPS-PEN). Preučevali smo odzivni čas toka
fotovzbujenih nosilcev naboja. Ugotovili smo, da je odzivni čas odvisen od energije
fotonov. Pri vzbujanju z valovno dolžino 500 nm znaša odzivni čas 4,5 - 5,6 ns, pri
700 nm pa 6,7 - 7,7 ns. Poleg tega smo pokazali, da s termičnim popuščanjem
izboljšamo odzivni čas, kar je posledica višje urejenosti molekul v nanožicah. S tem
smo pokazali, da so strukturni defekti ključni dejavnik za učinkovitost pretvorbe
fotonov v naboj na stiku med dvema polprevodnikoma in nadaljni transport po
organskem polprevodniku.
Strukturni defekti vplivajo tudi na učinkovitost pretvorbe svetlobne energije v
električno energijo v organskih heterostrukturnih fotovoltaikih (OPV). Polimeri z
različnimi dolžinami osnovne verige se različno uredijo in s tem tvorijo različno
stopnjo strukturnih defektov. To smo dognali s tem, ko smo preučili odvisnost
transporta nabojev od molekulske mase v poli[4,8-bis(5-(2-etilheksil)tiofen-2-
il)benzo[1,2-b,4,5-b']ditiopen-2,6-diil-alt-(4-(2-etilheksil)-3-fluorotieno[3,4-b]tiofen-
2-karboksilat-2-6-diil] (PTB7-Th). Molekulska masa PTB7-Th je znašala od 50 kDa
do 300 kDa. Pokazali smo, da so vrzeli glavni nosilci naboja v PTB7-Th. Njihova
gibljivost znaša 0,1 - 3 × 10 -2 cm 2 /Vs. Gibljivost narašča s temperaturo in z električnim
poljem, kar je značilno za transport naboja s poskakovanjem. Molekulska masa
polimera ima netrivialen vpliv na transport naboja. FET gibljivost v nasičenem režimu
se povečuje z molekulsko maso. Podoben trend smo opaziti tudi pri meritvu TOF
gibljivosti, razen pri polimeru velikosti 100 kDa. Pri tem polimeru smo opazili, da je
gibljivost največja zaradi najnižje gostote pasti, ki lovijo nosilce naboja. Poleg tega
polimer z velikostjo 200 kDa kaže najnižjo aktivacijsko energijo transporta nosilcev
naboja. Čeprav ima polimer velikosti 100 kDa največjo gibljivost, OPV-ji z uporabo
polimera velikosti 200 kDa kažejo najboljšo učinkovitost v smislu učinkovitosti
pretvorbe moči. |