Vpliv nukleacijske plasti svinčevega titanata na kristalizacijo tankih plasti PLZT, pripravljenih iz raztopin

Mira Mandeljc (Avtor), Marija Kosec (Avtor), Barbara Malič (Avtor)

Povzetek

Za tanke plasti (Pb, La)(Zr,Ti)▫$O_3$▫ na silicijevi podlagi s platinsko elektrodo je značilna kristalizacija v stabilno perovskitno fazo pri relativno visokih temperaturah, pri katerih naletimo na problem ohranjanja stehiometrije tanke plasti zaradi odparevanja svinčevega oksida. Da bi znižali temperaturo kristalizacije trdne raztopine ▫$Pb_{1-3x/2}La_xZr{0,65}Ti_{0,35}O_3$▫, x=0,095 (PLZT), smo uporabili nukleacijsko plast svinčevega titanata (Pt). V delu poročamo o peteku kristalizacije tankih plasti PLZT na različno pripravljenih nukleacijskih plasteh PT na podlagah ▫$TiO_2/Pt/TiO_2/SiO_2/Si$▫ in ▫$Pt/TiO_2/Si$▫. Plast Pt zniža temperaturo nukleacije PLZT vsaj na 400°C, vendar je za popolno kristalizacijo potrebno povišanje temperature na 450°C.

Ključne besede

PLZT;tanke plasti;nukleacijska plast;

Podatki

Jezik:	Slovenski jezik
Leto izida:	1998
Tipologija:	1.01 - Izvirni znanstveni članek
Založnik:	Inštitut za kovinske materiale in tehnologije
UDK:	539.216:539.1:661.85
COBISS:	85418
ISSN:	1318-0010
Matična publikacija:	Kovine zlitine tehnologije
Št. ogledov:	0
Št. prenosov:	0
Ocena:	0 (0 glasov)
Metapodatki:

Ostali podatki

Sekundarni jezik:	Angleški jezik
Sekundarni naslov:	Effect of PbTiO[sub]3 seeding layer on the criytallization of chemical solution deposition derived PLTZ thin films
Sekundarni povzetek:	Chemical solution deposition (CSD) derived (Pb,La)(Zr,Ti)▫$O_3$▫ thin films on platinum coated silicon wafers are characterized by the high crystallization temperature of the perovskite phase. Because of the high processing temperature, lead oxide evaporation may significantly alter the stoichiometry of the films. ▫$PbTiO_3$▫ (PT) film was used as a seeding layer since it crystallizes at a lower temperature than the ▫$Pb {1-3x/2}La_xZr_{0,65}Ti_{0,35}O_3$▫, x=0,095 (PLZT) film. The crystallization process of CSD PLZT films prepared on various PT seeding layers deposited on ▫$TiO_2/Pt/TiO_2/SiO_2/Si$▫ and ▫$Pt/TiO_2/Si$▫ substrates was studied. PT seeding layer decreases the nucleation temperature to at least 400°C, however,due to the growth controlled mechanism, a temperature of 450°C is required for the crystallization of the whole layer.
Sekundarne ključne besede:	PLZT;thin film;seeding layer;
URN:	URN:NBN:SI:doc-SP8D22P7
Strani:	str. 359-362
Letnik:	Letn. 32
Zvezek:	št. 5
Čas izdaje:	1998
ID:	1750671