Schottkyjeva bariera

moderni pogledi na star problem

Dean Korošak (Avtor), Bruno Cvikl (Avtor)

Povzetek

V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode.

Ključne besede

vakuumska tehnika;površine;kovine;polprevodniki;tanke plasti;curek ioniziranih skupkov;

Podatki

Jezik:	Slovenski jezik
Leto izida:	1998
Tipologija:	1.02 - Pregledni znanstveni članek
Organizacija:	UM FS - Fakulteta za strojništvo
Založnik:	Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije
UDK:	539.2
COBISS:	4173078
ISSN:	0351-9716
Matična publikacija:	Vakuumist
Št. ogledov:	1167
Št. prenosov:	27
Ocena:	0 (0 glasov)
Metapodatki:

Ostali podatki

Sekundarni jezik:	Angleški jezik
Sekundarni naslov:	Schottky barrier - modern views on an old problem (Part II)
Sekundarni povzetek:	In the second part of the paper the transport mechanisms of the metal-semiconductor contact are discussed. An overview of the basic transport mechanism contributing to the current density through the ideal Schottky structure is given. An existance of possible additional charge transport mechanism due to the presence of the disordered interfacial control layer in the ICB deposited Schottky heterostrutures is further discussed. The influence of such a transport mechanism on the current-voltage characteristic is described.
Sekundarne ključne besede:	vacuum techniques;surfaces;metals;semiconductors;thin layers;CIS;
URN:	URN:NBN:SI
Vrsta dela (COBISS):	Delo ni kategorizirano
Strani:	str. 13-16
Letnik:	18
Zvezek:	ǂšt. ǂ3
Čas izdaje:	1998
ID:	1752236