moderni pogledi na star problem
Dean Korošak (Avtor), Bruno Cvikl (Avtor)

Povzetek

The description of the metal semiconductor contact in the framework of the general model incorporating the interfacial control layer between the metal and the ordered semiconductor is given. Special attention is given to the iCB Schottky structures for nonzero acceleration voltage featuring the disordered interfacial control layer characterized by the metal atoms incorporated into the semiconductor lattice and the DIGS continuum. The expression for the Schottky barrier height variation in ICB structures is given.

Ključne besede

površine;kovine;polprevodniki;tanke plasti;

Podatki

Jezik: Slovenski jezik
Leto izida:
Tipologija: 1.02 - Pregledni znanstveni članek
Organizacija: IJS - Institut Jožef Stefan
Založnik: Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije
UDK: 539.2
COBISS: 13500967 Povezava se bo odprla v novem oknu
ISSN: 0351-9716
Matična publikacija: Vakuumist
Št. ogledov: 862
Št. prenosov: 37
Ocena: 0 (0 glasov)
Metapodatki: JSON JSON-RDF JSON-LD TURTLE N-TRIPLES XML RDFA MICRODATA DC-XML DC-RDF RDF

Ostali podatki

Sekundarni jezik: Angleški jezik
Sekundarni naslov: Schottky barrier - modern views on an old problem (Part I)
Sekundarni povzetek: V prispevku je podan opis stika med kovino in polprevodnikom v okviru splošnega modela stika z vmesno kontrolno plastjo. Posebej so poudarjene lastnosti stika, narejenega po metodi CIS, kjer pride do nastanka neurejene kontrolne plasti, karakterizirane s kovinskimi atomi, vgrajenimi v kristalno mrežo polprevodnika in kontinuumom lokaliziranih elektronskih stanj, induciranih z neredom v kontrolni plasti. Podan je izraz za variacijo višine Schottkyjeve bariere v CIS-kontaktih.
URN: URN:NBN:SI
Vrsta dela (COBISS): Delo ni kategorizirano
Strani: str. 17-20
Letnik: ǂlet. ǂ18
Zvezek: ǂšt. ǂ2
Čas izdaje: 1998
ID: 1752368