I-V karakteristike Ag/n-Si(111) Schottky-jeve bariere nanesene po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS
Povzetek
I-V karakteristike Ag/n-Si(111) Schottky-jeve bariere nanesene po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS
Ključne besede
elektroni;polprevodniki;tanke plasti;vakuumska tehnika
Podatki
| Jezik: | Slovenski jezik |
|---|---|
| Leto izida: | 1993 |
| Tipologija: | 1.04 - Strokovni članek |
| Organizacija: | IJS - Institut Jožef Stefan |
| Založnik: | Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije |
| UDK: | 53 |
| COBISS: |
5495044
|
| ISSN: | 0351-9716 |
| Matična publikacija: | Vakuumist |
| Št. ogledov: | 938 |
| Št. prenosov: | 34 |
| Ocena: | 0 (0 glasov) |
| Metapodatki: |
|
Ostali podatki
| Sekundarni jezik: | Neznan jezik |
|---|---|
| URN: | URN:NBN:SI |
| Vrsta dela (COBISS): | Delo ni kategorizirano |
| Strani: | str. 26-30 |
| Letnik: | ǂLet. ǂ13 |
| Zvezek: | ǂšt. ǂ2 |
| Čas izdaje: | 1993 |
| ID: | 1754523 |
Priporočena dela:
I-V karakteristike Ag/n-Si(111) Schottky-jeve bariere nanesene po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS
1993,
ni podatka o podnaslovu
Schottkyjeva bariera
1998,
moderni pogledi na star problem
Nanašanje tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS
1992,
ni podatka o podnaslovu
Schottkyjeva bariera
1998,
moderni pogledi na star problem
Study of initial growth of pentacene on graphene
2014,
dissertation