Iskalni niz:
išči po
išči po
išči po
išči po
Vrsta gradiva:
Jezik:
Št. zadetkov: 3
Karakterizacija preklopnih zmožnosti in proces izdelave spominskih elementov na TaS2
ANŽE MRAZ, Franc Smole
Magistrsko delo
Oznake: ultra hitri spomin;TaS2;val gostote naboja;
Že nekaj časa smo v iskanju novih računalniških tehnologij, ki bi nam omogočile nadaljnje izboljšave na tem področju. Eden od glavnih sestavnih delov je tudi spomin, ki je v zadnjih letih doživel precej napredka, predvsem na podlagi novih tehnologij. Primer tega je tudi spominski element, ki je o ...
Leto: 2018 Vir: Fakulteta za elektrotehniko (UL FE)
Charge configuration memory device for use in cryo computing
Anže Mraz, Dragan Mihailović, Benjamin Lipovšek
Doktorska disertacija
Oznake: pomnilnik na podlagi konfiguracije naboja;CCM;1T-TaS2;nevolatilnost;ultra-hiter pomnilnik;energijsko-učinkovit pomnilnik;
V tem delu se osredotočimo na raziskovanje različnih vidikov obratovanja konceptualno edinstvenega nevolatilnega pomnilniškega elementa na podlagi ureditve naboja (ang. charge configuration memory-CCM), ki temelji na preklapljanju med dvema uporovnima stanjema v materialu 1T-TaS2. Pokažemo izredno e ...
Leto: 2023 Vir: Fakulteta za elektrotehniko (UL FE)
Karakterizacija superprevodne pomnilniške celice na podlagi ureditve naboja
Bor Brezec, Benjamin Lipovšek, Anže Mraz
Magistrsko delo
Oznake: pomnilniška celica;ultrahiter pomnilnik;TaS2;nTron;pTron;magisteriji;
V magistrski nalogi je predstavljeno raziskovalno delo na pomnilniški celici paralelotron (pTron), ki zaradi edinstvenih lastnosti ponuja rešitev za pomanjkanje pomnilniške tehnologije v krioračunalništvu, kjer so zahteve po energijski učinkovitosti zelo visoke. Plastoviti material tantalov disulfid ...
Leto: 2024 Vir: Fakulteta za elektrotehniko (UL FE)
Št. zadetkov: 3
Ključne besede:
Leto izdaje:
Avtorji:
Repozitorij:
Tipologija:
Jezik: