Št. zadetkov: 12
Izvirni znanstveni članek
Oznake:
vakuumska tehnika;CIS;curek ioniziranih skupkov;tanke plasti;
V članku je opisan postopek naparjevanja tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov, ki rabi za nizkotemperaturno nanašanje in epitakso visokokvalitetnih tankih plasti.
Leto:
1992
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)
Izvirni znanstveni članek
Oznake:
fizika trdne snovi;metode;tanke plasti;vakuumska tehnika
Posebnost in ustreznost nanašanja tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS, za nadzorovano spreminjanje višine Schottkyjeve potencialne bariere ob stiku kovina/polprevodnik in proučevanje s tem povezanih fizikalnih pojavov je ilustrirano na primeru nanosa tanke plasti srebra na n dopir ...
Leto:
1993
Vir:
dLib.si Digitalna knjižnica Slovenije
Izvirni znanstveni članek
Oznake:
electrode/organic electric field;contact affected hole mobility;organic interface disorder parameters;
An alternative interpretation of two different sets of published temperature-dependent current-voltage a-NPD (i.e. N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,11-biphenyl)-4,4'-diamine) organic semiconductor data is presented. The measurements are described in terms of the hole drift current density expres ...
Leto:
2019
Vir:
Fakulteta za energetiko (UM FE)
Pregledni znanstveni članek
Oznake:
vakuumska tehnika;površine;kovine;polprevodniki;tanke plasti;curek ioniziranih skupkov;
V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju ...
Leto:
1998
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)
Pregledni znanstveni članek
Oznake:
površine;kovine;polprevodniki;tanke plasti;
The description of the metal semiconductor contact in the framework of the general model incorporating the interfacial control layer between the metal and the ordered semiconductor is given. Special attention is given to the iCB Schottky structures for nonzero acceleration voltage featuring the diso ...
Leto:
1998
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)
Diplomsko delo
Oznake:
gradbeništvo;
Dinamične toplotne karakteristike tople ravne strehe
Leto:
1992
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)
Diplomsko delo
Oznake:
stanovanjske zgradbe;materiali;
Gradbeno fizikalna analiza stanovanjskega objekta Železnikova 22 v Mariboru
Leto:
1990
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)
Izvirni znanstveni članek
Oznake:
geomehanika;dielektrična spektroskopija;porozna snov;prevodnost;dinamika delca;soil mechanics;dielectric spectroscopy;porous material;conductivity;fractional dynamics;
V delu je predstavljena karakterizacija mešanic gline in vode na podlagi dielektrične spektroskopije in analiza pridobljenih spektrov. Predlagan je teoretičen model dinamike ionov, ki poleg gibanja ionov v porah elektrolita vključuje tudi njihovo ujetost na površinah mineralov. Časovne konstante, ki ...
Leto:
2007
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)
Strokovni članek
Oznake:
elektroni;polprevodniki;tanke plasti;vakuumska tehnika
I-V karakteristike Ag/n-Si(111) Schottky-jeve bariere nanesene po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS
Leto:
1993
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)
Diplomsko delo
Oznake:
vezljive zemljine;vlažnost;dielektrična spektroskopija;
Raziskava možne soodvisnosti nekaterih mehanskih (nedrenirane strižne trdnosti v območju plastičnosti) in dielektričnih svojstev izbranih vezljivih zemljin : diplomsko delo univerzitetnega študijskega programa
Leto:
2003
Vir:
Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo (UM FGPA)