Iskalni niz:
išči po
išči po
išči po
išči po
Vrsta gradiva:
Jezik:
Št. zadetkov: 1
Depth-resolved ultra-violet spectroscopic photo current-voltage measurements for the analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistor epilayer deposited on Si
Burcu Ozden, Chungman Yang, Fei Tong, Min P. Khanal, Vahid Mirkhani, Mobbassar Hassan Sk, Ayayi Claude Ahyi, Minseo Park
Izvirni znanstveni članek
Oznake: AlGaN/GaN;high electron mobility transistor;spectroscopic measurements;photocurrent-voltage;ultraviolet light;photoelectric conversions;
Depth-resolved ultra-violet spectroscopic photo current-voltage measurements for the analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistor epilayer deposited on Si
Leto: 2014 Vir: Repozitorij Univerze v Novi Gorici (RUNG)
Št. zadetkov: 1
Ključne besede:
Leto izdaje:
Avtorji:
Repozitorij:
Tipologija:
Jezik: