Iskalni niz:
išči po
išči po
išči po
išči po
Vrsta gradiva:
Jezik:
Št. zadetkov: 1
Study of the neutron radiation hardness of MAPD-3NK2 silicon photomultipliers
F. Ahmadov, G. Ahmadov, A. Mammadli, A. Sadygov, Z. Sadygov, Anže Jazbec, Klemen Ambrožič, M. Holik, S. Nuruyev, O. Okhrimenko
Izvirni znanstveni članek
Oznake: nevtronsko obsevanje;odpornost na sevanje;silicijevi fotopomnoževalniki;fotodiode;poslabšanje zaradi temnega toka;neutron irradiation;radiation hardness;silicon photomultipliers;photodiodes;dark current degradation;
The radiation hardness of MAPD-3NK2 photodiodes with deep-buried pixel structures was evaluated under neutron irradiation at fluences ranging from 3.6 × 109to 3.6 × 1012neq/cm². Irradiation induced dark current increase of up to 2060 times, a breakdown voltage shift of (0.37 ± 0.08) V, a photo signa ...
Leto: 2025 Vir: Institut Jožef Stefan (IJS)
Št. zadetkov: 1
Ključne besede:
Leto izdaje:
Avtorji:
Repozitorij:
Tipologija:
Jezik: